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2MHz, High-Brightness LED Drivers with
Integrated MOSFET and High-Side Current Sense
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V IN = +24V, V DIM = V IN , T A = T J = -40°C to +125°C, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
INTERNAL MOSFET
Drain-to-Source Resistance
R DSON
V IN = V DIM = 24V, V CS = 23.9V,
I LX = 350mA
V IN = V DIM = 6.0V, V CS = 5.9V,
I LX = 350mA
0.85
1
1.7
2
LX Leakage Current
I LX_LEAK
V DIM = 0V, V LX = 65V
10
μA
DIM INPUT
DIM Input-Voltage High
DIM Input-Voltage Low
DIM Turn-On Time
DIM Input Leakage High
V IH
V IL
t DIM_ON
V IN - V CS = 100mV
V CS - V IN = 100mV
V DIM rising edge to V LX < 0.5V IN
V DIM = V IN
2.8
200
0.6
15
V
V
ns
μA
DIM Input Leakage Low
V DIM = 0V
-3
0
μA
THERMAL SHUTDOWN
Thermal-Shutdown Threshold
Thermal-Shutdown Threshold
Hsysteresis
Temperature rising
165
10
°C
°C
THERMAL FOLDBACK
Thermal-Foldback Enable
Threshold Voltage
Thermal-Foldback Slope
TEMP_I Output Bias Current
V TFB_ON
FB SLOPE
I TEMP_I
V DIM = 5V
V DIM = 5V
1.9
25
2.0
0.75
26.5
2.12
28
V
1/V
μA
Typical Operating Characteristics
(V IN = V DIM = 48V, C VCC = 1μF, R SENSE = 0.62 Ω , L = 220μH (connected between IN and CS). Typical values are at T A = +25°C,
unless otherwise noted.)
EFFICIENCY
vs. V IN
DUTY CYCLE
vs. V IN
FREQUENCY
vs. V IN
100
95
7 LEDs 9 LED s
5 LEDs
3 LEDs
11 LEDs13 LEDs 15 LEDs
100
90
80
11 LED s
13 LEDs
15 LEDs
100
90
80
13 LEDs
11 LED s
15 LEDs
90
85
70
60
50
3 LEDs
7 LEDs 9 LED s
5 LEDs
70
60
50
9 LEDs
7 LEDs
5 LEDs
80
1 LED
40
30
1 LED
40
30
1 LED
3 LEDs
75
70
20
10
0
20
10
0
5
15
25
35
45
55
65
5
15
25
35
45
55
65
5
15
25
35
45
55
65
V IN (V)
V IN (V)
V IN (V)
_______________________________________________________________________________________
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